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GK-IGBT-3000AIGBT功率循環(huán)
適用于各種封裝的IGBT模塊進(jìn)行K系數(shù)測(cè)試、穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試及功率循環(huán)試驗(yàn)。
技術(shù)特點(diǎn)：
1、高精度和高穩(wěn)定性，可替代國(guó)外設(shè)備；
2、采樣速率1MHz/s；最快1us去掉加熱電流；
3、支持雙界面熱阻測(cè)試和結(jié)構(gòu)函數(shù)測(cè)試；
4、支持多種方式實(shí)現(xiàn)SiC器件功率循環(huán)；
heating
高溫加熱
內(nèi)部加熱 保持不壞
真金不怕火煉，超強(qiáng)耐高溫
超級(jí)耐高溫
保持高品質(zhì)
內(nèi)部加熱原理
服務(wù)熱線(xiàn)
0571-8585 6333
聯(lián)系郵箱：[email protected]
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